Kioxia đoạt Giải phát minh năm 2022

Kioxia đoạt Giải phát minh năm 2022 của Giải thưởng Khen thưởng Quốc gia về Phát minh

1 tháng 6 năm 2022
Tập đoàn Kioxia Tokyo,

Ngày 1 tháng 6 năm 2022 - Tập đoàn Kioxia, nhà lãnh đạo thế giới về giải pháp bộ nhớ, đã thông báo hôm nay rằng họ đã đoạt Giải phát minh năm 2022 của Giải thưởng Khen thưởng Quốc gia về Phát minh cho Phát minh về Tối ưu hóa Phương pháp Đọc cho Bộ nhớ Flash Đa cấp (số bằng sáng chế 4892307). Trở lại năm 1919, Giải thưởng Khen thưởng Quốc gia về Phát minh là một chương trình của Nhật Bản nhằm thúc đẩy khoa học, công nghệ và công nhận các ngành công nghiệp có phát minh, ý tưởng và thiết kế xuất sắc. Đây là năm thứ ba liên tiếp Kioxia đón nhận giải thưởng từ chương trình danh giá này.

Người đoạt giải (đều là nhân viên của Kioxia): Mitsuaki Honma, Chuyên gia cấp cao, Bộ phận Quản lý Thiết kế Bộ nhớ, Bộ phận Bộ nhớ Noboru Shibata, Trợ lý Tổng giám đốc, Trung tâm Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ Thiết bị, Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ Bộ nhớ.

Bằng cách áp dụng mã hóa bit mới đột phá và phân bố đồng đều hơn, công nghệ đoạt giải của Kioxia giảm tỷ lệ lỗi tối đa dự kiến trong bộ nhớ flash đa cấp và giảm diện tích chip cần thiết để lưu trữ mã sửa lỗi (ECC). Ngoài ra, sự phát triển đột phá này cải thiện thời gian trễ đọc tối đa của bộ nhớ flash.

Để đáp ứng nhu cầu lưu trữ lớn trong xã hội số ngày càng tăng, bộ nhớ flash đang trở nên đa cấp hơn, trong đó có thể lưu trữ nhiều hơn một bit dữ liệu trong mỗi ô nhớ. Bộ nhớ flash đa cấp, trong đó ba hoặc nhiều hơn ba bit dữ liệu được lưu trữ trong mỗi ô nhớ, yêu cầu một số lượng xác định cao hơn các hoạt động phân biệt một trạng thái nhất định (ngưỡng điện áp) của ô nhớ để đọc dữ liệu. Ngoài ra, sự biến đổi về số lượng hoạt động phân biệt được phân bổ cho các bit còn lớn hơn nữa trong bộ nhớ flash đa cấp, đòi hỏi khả năng sửa lỗi cao hơn.

Trong mã hóa bit thông thường, việc đọc một bit nhất định đòi hỏi một số lượng hoạt động phân biệt cao hơn (tức là đọc mạnh hơn) so với việc đọc các bit khác; điều này gây ra các lỗi kết hợp tăng lên khi đọc các bit như vậy. Điều này có nghĩa là cần diện tích chip lớn hơn để lưu trữ dữ liệu phát sinh từ số lượng ECCs tăng lên. Sự tăng hoạt động phân biệt này với mã hóa bit thông thường còn tăng thời gian trễ đọc cho các bit đó.

Hướng theo sứ mệnh nâng cao thế giới với bộ nhớ, Kioxia cam kết nghiên cứu và phát triển công nghệ để mang lại giá trị cho con người trên khắp thế giới.